大家好,今天小编来为大家解答以下的问题，关于pnp管的电流方向图解，npn型晶体管电路符号这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！
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一、急求,NPN和PNP 的电流方向 、大小关系。
1、NPN是用 B→E的电流（IB）控制 C→E的电流（IC），E极电位更低，且正常放大时通常C极电位更高，即 VC> VB> VE
2、PNP是用 E→B的电流（IB）控制 E→C的电流（IC），E极电位更高，且正常放大时通常C极电位更低，即 VC< VB< VE
3、VB一般都是在中间，VC和 VE在两边，这跟通常的 *** T符号中的位置是一致的，可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且 *** T的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。
4、2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反
5、工作原理：晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极 *** 不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
6、对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
7、当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄。
8、而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
9、参考资料来源：百度百科-NPN型三极管
10、参考资料来源：百度百科-PNP型三极管
二、在三极管中(NPN和PNP)的电流流向
1、对于NPN管，NPN三极管要导通则需要两个PN结处于正偏电压，NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位更低，且正常放大时通常C极电位更高，即VC>VB>VE。所以，电流的流向是由C极流向E极。B极是控制脚，B的电流流向E。
2、对于PNP管，PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位更高，且正常放大时通常C极电位更低，即VC。
3、NPN做开关时，适合放在电路的接地端使用， PNP做开关时，适合放在电路的电源端使用，NPN基极高电压，集电极与发射极短路。低电压，集电极与发射极开路。也就是不工作。PNP基极高电压。集电极与发射极开路，也就是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
4、三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制。
5、集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。
6、在一块半导体基片上 *** 两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式分PNP和NPN两种。
7、参考资料来源：百度百科-PNP型三极管
三、pnp型三极管电流方向是什么
摘要：pnp型三极管电流方向要根据三极管的工作状态来判断，总体来说是是从集电极流入，发射极流出。此外pnp型三极管的种类繁多，常见的有2SB1316、2SA1785、9018等等，9018型号的PNP三极管的反压为30V，电流为0.05A，功率为0.4W，放大系数不固定，特征频率为1G。具体的pnp型三极管电流方向是什么以及pnp型三极管有哪些，请继续往下看吧！一、pnp型三极管电流方向是什么
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。那么pnp型三极管电流方向是什么？
pnp型三极管电流方向要根据三极管的工作状态来判断。例如：一个NPN型三极管，其集电极（C）电压为10V，基极（b）电压是2V，发射极（e）电压1.3V。由于NPN三极管工作于放大状态时，必须保证Uc>Ub>Ue，此时集电极电流由C流向e，基极电流由b流向e。
PNP三极管的型号有很多种，主要是因为参数的不同所以导致作用不同，具体如下：
1、2SB1316。该型号的PNP三极管的反压为100V，电流为2A，功率为10W，放大系数为15000，没有固定的特征频率，该三极管的特点是虽然功率很小，但是放大系数却很大，适合放大倍数多的使用。
2、2SA1785。该型号的PNP三极管的反压为400V，电流为1A，功率为1W，放大系数不固定，特征频率为750HZ，该三极管的特点是虽然功率很小，但是需要的反压很大，电流却很小，只适用于某些固定的地方。
3、9018。该型号的PNP三极管的反压为30V，电流为0.05A，功率为0.4W，放大系数不固定，特征频率为1G，该三极管的特点是虽然功率很小，但是相反的电流和反压都很低，适用于小功率的地方。
四、三极管的三大应用
双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。
双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头 *** 发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。
3.1.2三极管内部的电流分配与控制
双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压，如图所示。
在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：
(1)在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成IEN，基区空穴向发射区扩散形成IEP。
(2)电子在基区复合和扩散，由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。
(3)集电结收集电子，由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。
(4)集电极的反向电流，集电结收集到的电子包括两部分：发射区扩散到基区的电子——ICN，基区的少数载流子——ICBO
IEN=ICN+IBN且有 IEN>> IBN，ICN>>IBN
IC=ICN+ICBO IB=IEP+IBN－ICBO IE=IC+IB
双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入,两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；
共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。
对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义:
称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以的值小于1,但接近1，一般为0.98~0.999。由此可得:
在忽略ICBO情况下， IC、 IE和IB之间的关系可近似表示为：
信号表示（对IC、VBE、VCE等意义相同）：IB表示直流量／Ib表示交流有效值／Ib表示复数量／iB表示交直流混合量／ib表示交流变化量
(1) VCE=0时：b、e间加正向电压， JC和JE都正偏， JC没有吸引电子的能力。所以其特 *** 相当于两个二极管并联PN结的特 *** 。VCE=0V：两个PN结并联
(2) VCE>1V时，b、e间加正向电压，这时JE正偏， JC反偏。发射区注入到基区的载流子绝大部分被JC收集，只有小部分与基区多子形成电流IB。所以在相同的VBE下，IB要比VCE=0V时小。VCE>1V： iB比VCE=0V时小
(3) VCE介于0~1V之间时，JC反偏不够，吸引电子的能力不够强。随着VCE的增加，吸引电子的能力逐渐增强，iB逐渐减小，曲线向右移动。0<VCE<1V: VCE增加，iB减小
3)饱和区：对应于VCE<VBE的区域，集电结处于正偏，吸引电子的能力较弱。随着VCE增加，集电结吸引电子能力增强，iC增大。JC和JE都正偏，VCES约等于0.3V，饱和时c、e间电压记为VCES，深度饱和时VCES约等于0.3V。饱和时的三极管c、e间相当于一个压控电阻。
温度升高使：（1）输入特 *** 曲线左移
（2）ICBO增大，输出特 *** 曲线上移
半导体三极管的参数分为三大类:直流参数，交流参数，极限参数
§3.2基本共射极放大电路电路分析
1.放大电路概念：基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种基本组态放大电路。
a.放大电路主要用于放大微弱信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。
b.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。
(2)VCC：为JC提供反偏电压，一般几~几十伏;
(3)RC：将IC的变化转换为Vo的变化，一般几K~几十K。VCE=VCC-ICRC RC，VCC同属集电极回路。
(6)Cb1，Cb2：耦合电容或隔直电容，其作用是通交流隔直流。
(9)公共地或共同端，电路中每一点的电位实际上都是该点与公共端之间的电位差。图中各电压的极 *** 是参考极 *** ，电流的参考方向如图所示。
放大倍数／输入电阻Ri／输出电阻Ro／通频带
问题1：放大电路的输出电阻小，对放大电路输出电压的稳定 *** 是否有利？
问题2：有一个放大电路的输入信号的频率成分为100 Hz~10 kHz，那么放大电路的通频带应如何选择？如果放大电路的通频带比输入信号的频带窄，那么输出信号将发生什么变化？
静态：只考虑直流信号，即Vi=0，各点电位不变（直流工作状态）。
动态：只考虑交流信号，即Vi不为0，各点电位变化（交流工作状态）。
直流通路：电路中无变化量，电容相当于开路，电感相当于短路。
交流通路：电路中电容短路，电感开路，直流电源对公共端短路。
放大电路建立正确的静态，是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通道和交流通道。
例3.2.1：电路及参数如图，求Q点值
例3.2.2：电路及参数如图，求Q点值
截止失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线 *** 失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。
饱和失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线 *** 失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。
更大不失真输出：放大电路要想获得大的不失真输出幅度，需要
3.2.3放大电路的小信号模型分析法
图解法的适用范围：信号频率低、幅度较大的情况。
如果电路中输入信号很小，可把三极管特 *** 曲线在小范围内用直线代替，从而把放大电路当作线 *** 电路处理——微变等效电路。
1.三极管可以用一个模型来代替。
2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响。
3.小信号意味着三极管在线 *** 条件下工作，微变也具有线 *** 同样的含义。
共集电极组态基本放大电路如图所示。
共基极组态基本放大电路的微变等效电路
频率失真：幅度失真和相位失真(p20-21图1.2.9)
在简化混合π型模型中，因存在Cb’c，对求解不便，可通过单向化处理加以变换。
好了，文章到这里就结束啦，如果本次分享的pnp管的电流方向图解和npn型晶体管电路符号问题对您有所帮助，还望关注下本站哦！
